本实用新型涉及半导体发光元件和发光装置，发光元件自上而下包括：第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及活性层；电流阻挡层，包括条状部分，设置在所述第一导电型半导体层的局部表面上；第一金属电极，包括第一金属电极垫和从所述第一金属电极垫延伸出去的扩展条，第一金属电极扩展条位于所述电流阻挡层的条状部分之上；第一金属电极扩展条包括延伸段和端部；位于部分所述延伸段下方的所述电流阻挡层的条状部分，具有沿着逐渐远离所述第一金属电极垫的延伸方向逐渐加宽的加宽部；可改善第一金属电极扩展条的远端处静电冲击下电荷分布过于集中，并且可以避免因为与电流阻挡层相对位置偏移而发生电流拥挤，提升ESD性能，提升芯片可靠性。