半导体发光元件

专利权的终止

摘要

在现有的实现了使被焊盘电极覆盖的部分不发光、提高光的取出效率的半导体发光元件中，产生了如下问题：在焊盘电极中，容易混入构成线状电极的材料，由于Au线的接合力不足而容易产生损坏等。本发明提供了一种半导体发光元件，在元件(1)的最表面半导体层(1a)的表面，具有焊盘电极(3)，在最表面半导体层和焊盘电极之间进行肖特基接合，在网状地覆盖除焊盘电极占据的部分之外的表面的线状电极(2)和最表面半导体层之间，进行欧姆接合，焊盘电极和线状电极在一部分接触，进行欧姆接合，在线状电极和焊盘电极的接触部，焊盘电极的层结构中的势垒金属层(3b)覆盖线状电极的层结构中的上部以及侧面的一部分或全部，从而使线状电极的构件不混入焊盘电极，来解决课题。

基本信息

专利标题：

半导体发光元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828959A

申请号：

CN200610056768.6

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-03-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

富冈优子小林静一郎竹岛一树

申请人：

斯坦雷电气株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

优先权：

CN200610056768.6

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00 H01L23/482