半导体发光元件
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摘要
提供一种不产生向GaN衬底进行光渗出、以及发生n型覆盖层的破裂或位错的问题，且垂直方向的FFP(远场图样)全半高宽较小的半导体发光元件。具有在n型覆盖层(3)和p型覆盖层(10)之间夹持了活性层(6)的结构的半导体发光元件中，使用Al组成比x为0.01≤x＜0.06的AlxGa1－xN层(AlGaN)层作为n型覆盖层。当Al组成比x小于0.06时，由于AlGaN层的折射率变大，所以可以使垂直方向的NFP(近场图样)变宽，使垂直方向的FFP的全半高宽减小。此外，当Al组成比变小时，由于与GaN衬底的晶格不匹配变小，所以可以不产生破裂和位错问题而厚厚地形成AlGaN层，并可以抑制向GaN衬底的光渗出。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1776927A
申请号 ：
CN200510131574.3
公开（公告）日 ：
2006-05-24
申请日 ：
2005-11-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藏本恭介
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200510131574.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/00
相关图片
法律状态
2008-11-19 ：
授权
2006-07-19 ：
实质审查的生效
2006-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100435364C.PDF
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