半导体发光元件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明所涉及的半导体发光元件具有：由氮化镓系化合物半导体构成的活性层；与活性层相比设置在p层一侧，由受到拉伸变形的Inx1Aly1Ga1－x1－y1N(0≤x1≤1、0≤y1≤1)构成的第1半导体层；由能带间隙比第1半导体层小的Inx2Aly2Ga1－x2－y2N(0≤x2≤1、0≤y2≤1)构成的第2半导体层；位于第1半导体层和第2半导体层之间，由能带间隙比第1半导体层的能带间隙小、比第2半导体层的能带间隙大的Inx3Aly3Ga1－x3－y3N(0≤x3≤1、0≤y3≤1)构成的第3半导体层。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101156285A
申请号 ：
CN200680011679.8
公开（公告）日 ：
2008-04-02
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藏本恭介
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王岳
优先权 ：
CN200680011679.8
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343 H01L33/00
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法律状态
2011-04-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101079710091
IPC(主分类) : H01S 5/343
专利申请号 : 2006800116798
公开日 : 20080402
号牌文件序号 : 101079710091
IPC(主分类) : H01S 5/343
专利申请号 : 2006800116798
公开日 : 20080402
2008-05-28 ：
实质审查的生效
2008-04-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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