半导体发光元件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种在使用氮化物半导体的发光元件中，防止半导体层的劣化，即使施加逆方向电压或长时间动作，半导体层也难以损坏，并且可靠性优异的氮化物半导体发光元件。在基板(1)的表面上形成有由氮化物半导体构成的包含第一导电型层(p型层(5))和第二导电型层(n型层(3))的半导体叠层部(6)，在其上与透光性导电层(7)和p型层(5)电连接而设置有p侧电极(8)，与半导体叠层部(6)的下层侧的n型层(3)电连接而设置有n侧电极(9)。利用蚀刻将该芯片周围的半导体叠层部(6)除去，由此形成台面状半导体叠层部(6a)，对该台面状半导体叠层部(6a)进行蚀刻，使得在平面形状内没有90°以下的角部、其拐角部成为曲线。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101120452A
申请号 ：
CN200680005138.4
公开（公告）日 ：
2008-02-06
申请日 ：
2006-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊藤范和堤一阳西田敏夫园部雅之酒井光彦山口敦司
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680005138.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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