半导体发光元件及其制法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制法，该氮化物半导体发光元件的结构能够有效地取出在半导体叠层部与基板内反复进行全反射而衰减的光线，提高外部量子效率。在例如由蓝宝石等构成的基板(1)的表面上，设有包括由氮化物半导体构成的第一导电型层和第二导电型层的半导体叠层部(6)，与该半导体叠层部(6)的表面侧的第一导电型层(例如p型层5)电连接地设有第一电极(例如p侧电极8)，与第二导电型层(例如n型层3)电连接地形成有第二电极(例如n侧电极9)。然后，通过蚀刻除去半导体叠层部(6)的一部分，使得在半导体叠层部(6)的至少芯片周围，半导体叠层部以柱状林立的柱状部(6a)残留，柱状部(6a)周围的n型层(3)露出。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光元件及其制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116192A
申请号 ：
CN200680004342.4
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2006-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
酒井光彦山口敦司中原健园部雅之筒井毅
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680004342.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2021-01-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20060207
授权公告日 : 20110406
终止日期 : 20200207
申请日 : 20060207
授权公告日 : 20110406
终止日期 : 20200207
2011-04-06 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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