发光元件、发光器件以及电子器件
专利权的终止
摘要
本发明的目的是提供一种几乎没有因晶化导致的工作不良的发光元件。本发明的一种发光元件包括含有金属氧化物和对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物的层。该层中设有第一区域和第二区域。包含在所述第一区域中的金属氧化物浓度高于所述第二区域中所包含的金属氧化物浓度。而且，所述第一区域和第二区域被交替地提供。所述第一区域和第二区域分别沿所述混合层的厚度方向具有0.1nm至10nm，优选的是1nm至5nm的距离。在此，在上述层中优选包含所述对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物和所述金属氧化物，并所述对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物与所述金属氧化物的摩尔比(金属氧化物/第一化合物)在0.1至10的范围内。
基本信息
专利标题 ：
发光元件、发光器件以及电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1816229A
申请号 ：
CN200510127268.2
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
池田寿雄坂田淳一郎岩城裕司
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200510127268.2
主分类号 ：
H05B33/00
IPC分类号 ：
H05B33/00 H05B33/14
法律状态
2021-11-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20100609
终止日期 : 20201206
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20100609
终止日期 : 20201206
2010-06-09 ：
授权
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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