本公开的实施例涉及电子器件。一种电子器件，包括：碳化硅SiC的半导体本体，该半导体本体具有沿第一方向彼此相对的第一面和第二面，在所述第一面上呈现正电荷载流子，该正电荷载流子形成了正界面电荷；第一导电端子，该第一导电端子在半导体本体的第一面延伸；第二导电端子，该第二导电端子在半导体本体的第二面延伸；半导体本体中的沟道区域，该沟道区域被配置为在使用中容纳第一导电端子和第二导电端子之间的电子流；以及绝缘材料的陷阱层，该陷阱层在所述沟道区域与半导体本体电接触地延伸，并且被设计成呈现生成负电荷的电子俘获状态，诸如至少部分地平衡所述正界面电荷。