电子器件

专利权的终止

摘要

电子器件，其在衬底上包含单畴结构的有机半导体材料。所述半导体材料优选是晶体管的一部分，其中所述单畴在沟道上延伸，即从源极延伸到漏极。所述材料包含具有间隔基和端基的介晶单元。所述端基优选是反应性的，即二烯、丙烯酸酯、氧杂环丁烷等。介晶单元包含中央的寡聚噻吩基团、刚性间隔基，特别是乙炔基，以及附加基团，例如噻吩基或苯基。

基本信息

专利标题：

电子器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101120457A

申请号：

CN200680005156.2

公开（公告）日：

2008-02-06

申请日：

2006-02-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

A·J·J·M·范布雷曼P·T·赫维希J·斯维森C·H·T·什洛H·F·M·斯霍D·德里兀S·塞塔耶什W·M·哈德曼

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

于辉

优先权：

CN200680005156.2

主分类号：

H01L51/30

IPC分类号：

H01L51/30