电子器件
授权
摘要
本公开涉及电子器件。该电子器件包括：碳化硅固体本体，具有表面和第一导电性类型；第一和第二注入区域，具有第二导电性类型，从表面开始在一方向上延伸到固体本体中，在第一和第二注入区域之间界定固体本体的表面部分；肖特基接触金属部分，在表面上，与表面部分直接接触；和欧姆接触金属部分，在表面上，与第一和第二注入区域直接接触；固体本体包括具有表面部分和体部分的外延层，表面部分在体部分上方延伸，包括在方向上彼此接续延伸的多个掺杂子区域，每个掺杂子区域具有第一导电性类型和比体部分高的相应的导电性水平，至少一个掺杂子区域的导电性水平不同于至少一个其他掺杂子区域。通过本公开的实施例，电子器件的电压降可以被减小。
基本信息
专利标题 ：
电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121704385.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-07-26
授权号 ：
CN216597600U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
S·拉斯库纳C·基布阿罗
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202121704385.1
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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