密封的半导体发光器件

授权

摘要

根据本发明的实施例的方法包括提供半导体器件晶片。半导体器件晶片包括半导体结构，其包括夹在n型区和p型区之间的发光层。半导体器件晶片还包括用于每一个半导体器件的第一和第二金属接触。每一个第一金属接触与n型区直接接触并且每一个第二金属接触与p型区直接接触。该方法还包括形成密封每一个半导体器件的半导体结构的结构。半导体器件晶片附接到支撑衬底晶片。

基本信息

专利标题：

密封的半导体发光器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109994586A

申请号：

CN201810908784.6

公开（公告）日：

2019-07-09

申请日：

2013-03-22

授权号：

CN109994586B

授权日：

2022-06-03

发明人：

雷继谱S.施亚夫菲诺A.H.尼克

申请人：

亮锐控股有限公司

申请人地址：

荷兰史基浦

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

孙之刚

优先权：

CN201810908784.6

主分类号：

H01L33/32

IPC分类号：

H01L33/32 H01L33/38 H01L33/52 H01L33/62 H01L21/56 H01L21/683 H01L33/00