半导体发光器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体发光器件，包括：依次自下而上依次层叠设置的衬底、第一缓冲层、n型氮氧化物半导体层、第二缓冲层、发光层、p型氮氧化物半导体层和电流扩散及空穴注入层；第一电极，设置在n型氮氧化物半导体层上，第一电极包括多个反射层；第二电极，设置在电流扩散及空穴注入层上，第二电极包括多个反射层；其中，发光层具有AlGaInN量子阱结构，电流扩散及空穴注入层为n型杂质及p型杂质一同掺杂的ZnO层。本实用新型的半导体发光器件，在n型氮化物半导体层和发光层之间设置有第二缓冲层，可减小发光层的穿透位错密度，降低发光层的残余应变。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022510299.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN213716926U
授权日 ：
2021-07-16
发明人 ：
李洁姚强
申请人 ：
西安精匠华鹤电子科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区锦业路69号创业研发园瞪羚谷裙楼70102号房109室
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高晓倩
优先权 ：
CN202022510299.9
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/12 H01L33/06 H01L33/32 H01L33/40
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法律状态
2021-07-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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