波长转换的半导体发光器件

授权

摘要

一种诸如磷光体之类的材料与半导体结构光学耦合，该半导体结构包括设置在n－型区域和p－区域之间的发光区域，以便有效地将来自发光区域的光提取进入到磷光体中。该磷光体可以是与半导体结构的表面直接接触的磷光体晶粒，或者是与半导体结构结合的陶瓷磷光体，或者与其上可以生长半导体结构的薄的核结构结合的陶瓷磷光体。该磷光体优选是高吸收的且高效的。当半导体结构将光发射到这种高效、高吸收的磷光体中时，该磷光体可以有效地从该结构中提取光，降低现有技术器件中存在的光损耗。

基本信息

专利标题：

波长转换的半导体发光器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101176212A

申请号：

CN200680008317.3

公开（公告）日：

2008-05-07

申请日：

2006-03-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

M·R·克拉梅斯G·O·米勒

申请人：

飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

李静岚

优先权：

CN200680008317.3

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00