半导体发光器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体发光器件，包括金属基板以及设置在所述金属基板至少一表面上的半导体发光芯片；所述半导体发光芯片包括衬底、设置在所述衬底上的半导体发光叠层、设置在所述半导体发光叠层上的导热焊盘、第一焊盘和第二焊盘；所述金属基板的表面上对应所述半导体发光芯片设有第一焊垫和第二焊垫；所述第一焊盘和第二焊盘分别与所述第一焊垫和第二焊垫导电连接；所述导热焊盘与所述金属基板导热连接。本实用新型的半导体发光器件，半导体发光芯片通过导热焊盘直接与基板导热连接，能够在大功率工作时将产生的热量及时传导至基板，提升半导体发光芯片的最大可工作功率，可靠性高；简化结构，简化制造流程以及降低成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020612786.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
CN212113750U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
李刚
申请人 ：
深圳大道半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道新石社区华宁路东龙兴科技园3号厂房201、301
代理机构 ：
深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
林俭良
优先权 ：
CN202020612786.3
主分类号 ：
H01L33/64
IPC分类号 ：
H01L33/64 H01L33/62
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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