半导体器件和发光器件

专利权的终止

摘要

本发明提供一种半导体器件，通过该半导体器件能够制造一种不会发生例如短路的缺陷的发光器件。本发明半导体器件的一个特征是包括用作发光元件电极的电极。电极包括第一层和第二层。此外，通过具有开口部分的隔层覆盖电极的末端部分。而且，电极的一部分通过隔层的开口部分被暴露。本发明半导体器件的一个特征是包括用作发光元件电极的电极和晶体管。电极和晶体管彼此电连接。电极包括第一层和第二层。此外，通过具有开口部分的隔层来覆盖该电极的末端部分。而且，第二层通过隔层的开口部分被暴露。

基本信息

专利标题：

半导体器件和发光器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1790729A

申请号：

CN200510118673.8

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-11-01

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

安部宽子濑尾哲史山崎舜平

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

张浩

优先权：

CN200510118673.8

主分类号：

H01L27/32

IPC分类号：

H01L27/32 H01L51/50 H01L51/52