外延结构及半导体器件
公开
摘要
本发明提供了一种外延结构及半导体器件，外延结构包括：钝化层；势垒层，势垒层位于所述钝化层的一侧；其中，所述势垒层的表面包括至少一个势垒层凹槽，至少一个势垒层凹槽位于结构设定区域，且所述至少一个势垒层凹槽的开口朝向钝化层。势垒层表面的势垒层凹槽可以引入更多的电场集中区域，进而削弱在栅极靠近漏极的边缘处因电场集中效应产生的峰值电场的强度，减少栅极边缘因该峰值电场的作用变为会被陷阱俘获的热电子的数量，进而缩短了在半导体器件开关时陷阱的充放电时间，即缩短了半导体器件开启和关断的时间，提高器件的响应速度。
基本信息
专利标题 ：
外延结构及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566538A
申请号 ：
CN202210206690.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许洁张杰
申请人 ：
上海陆芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号2幢409室
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
陈金忠
优先权 ：
CN202210206690.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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