一种半导体外延器件
授权
摘要
一种半导体外延器件，包括衬底、应力中和层以及外延层，其中衬底包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面，应力中和层设置于衬底的第二表面，外延层设置于衬底的第一表面。本实用新型披露的半导体外延器件通过应力中和层与外延层之间的应力相互抵消，令半导体外延器件的翘曲度小于50μm，如此一来能够提高所述半导体外延器件的制备工艺的工艺效率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体外延器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922094445.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN211062723U
授权日 ：
2020-07-21
发明人 ：
钟瑞伦吴俊鹏
申请人 ：
吴俊鹏;陈纪宇
申请人地址 ：
中国台湾新竹市北区延平路一段261巷8弄18号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
董科
优先权 ：
CN201922094445.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/02
法律状态
2020-07-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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