一种LED外延片和半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种LED外延片和半导体器件，在第一N型半导体层和第二N型半导体层之间嵌入有N型电子阻挡层，且N型电子阻挡层为N型AlInGaN/GaN层，由于N型AlInGaN/GaN层中AlInGaN和GaN晶格失配较小，通过应力调制，减小了量子阱区域的极化电场，进而能够降低效率骤降带来的不利影响，同时还增加了LED外延片侧向电流扩展能力，使得半导体器件具有良好的电流扩展能力。以及，本实用新型通过的LED外延片移除了P型电子阻挡层，进而能够增加空穴注入，并缓解了载流子在量子阱中的不均匀分布，使多量子阱有源层发光更加均匀，提高了LED外延片的发光效率，且提高了半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种LED外延片和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921464381.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
CN210052757U
授权日 ：
2020-02-11
发明人 ：
万志卓祥景尧刚程伟林志伟
申请人 ：
厦门乾照光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
潘颖
优先权 ：
CN201921464381.3
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/06 H01L33/32
法律状态
2020-02-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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