氮化镓外延层及半导体器件

授权

摘要

本实用新型公开一种氮化镓外延层、半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、后处理层、第二缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极接触孔、第一阳极、介质层、第二阳极接触孔、第二阳极、阴极接触孔、阴极、保护层、阳极开孔、阳极导通金属、阴极开孔、阴极导通金属和场板层。本实用新型解决了缓冲层与半导体衬底界面之间存在漏电流的问题。

基本信息

专利标题：

氮化镓外延层及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921614642.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-25

授权号：

CN210866192U

授权日：

2020-06-26

发明人：

林信南刘美华刘岩军

申请人：

深圳市晶相技术有限公司

申请人地址：

广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

王华英

优先权：

CN201921614642.5

主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/872 H01L29/06 H01L21/328