一种氮化镓外延层及半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开一种氮化镓外延层及半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极、介质层、第二阳极、阴极、保护层、阳极导通金属、阴极导通金属和场板层。本实用新型解决了半导体器件反向漏电大的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓外延层及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921606996.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-25
授权号 ：
CN210866191U
授权日 ：
2020-06-26
发明人 ：
林信南刘美华刘岩军
申请人 ：
深圳市晶相技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王华英
优先权 ：
CN201921606996.5
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L21/328
法律状态
2020-06-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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