氮化物半导体器件
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种具有电子发射结构的氮化物半导体器件。在该器件中，n型氮化物半导体层形成在衬底上，以及有源层形成在n型氮化物半导体层上。而且p型氮化物半导体层形成在有源层上。有源层形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层之间，并包括量子阱层和量子势垒层。此外，在n型氮化物半导体层和有源层之间形成有电子发射层。电子发射层包括：氮化物半导体量子点层，形成在n型氮化物半导体层上，并具有表示为AlxInyGa (1－x－y) N的组成，其中0≤x≤1，且0≤y≤1；以及谐振隧道层，形成在氮化物半导体量子点层上，并具有比相邻的量子点层的带隙大的带隙。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1845347A
申请号 ：
CN200610002963.0
公开（公告）日 ：
2006-10-11
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李奎翰金制远金东俊
申请人 ：
三星电机株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李伟
优先权 ：
CN200610002963.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2016-03-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101651695744
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100029630
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20080416
终止日期 : 20150126
号牌文件序号 : 101651695744
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100029630
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20080416
终止日期 : 20150126
2013-01-09 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101493396090
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100029630
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星LED株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道水原市
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121211
号牌文件序号 : 101493396090
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100029630
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星LED株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道水原市
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121211
2010-11-10 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039192975
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100029630
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电机株式会社
变更后权利人 : 三星LED株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20100926
号牌文件序号 : 101039192975
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100029630
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电机株式会社
变更后权利人 : 三星LED株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20100926
2008-04-16 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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