倒装型氮化物半导体发光器件

专利申请权、专利权的转移

PDF下载

摘要

本发明涉及一种倒装型氮化物半导体发光器件，其具有p型和n型氮化物半导体层，以及在其中间的有源层。本发明还具有：欧姆接触层，形成在p型氮化物半导体层上；透光导电氧化物层，形成在欧姆接触层上；以及高反射金属层，形成在透光导电氧化物层上。

基本信息

专利标题：

倒装型氮化物半导体发光器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1848470A

申请号：

CN200610001499.3

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2006-01-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

蔡昇完尹锡吉高建维沈炫旭李凤一

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李伟

优先权：

CN200610001499.3

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00

法律状态

2013-01-09 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101493592854
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100014993
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星LED株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道水原市
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121211

2010-11-03 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101037788176
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100014993
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星电机株式会社
变更后权利人 : 三星LED株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20100920

2009-10-14 ：

授权

2006-12-13 ：

实质审查的生效

2006-10-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载