发光器件及其制造方法,以及氮化物半导体衬底
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
根据本发明的发光器件，包括：GaN衬底(1)；GaN衬底(1)的第一主表面侧上的n型AlxGa1－xN层(3)；与n型AlxGa1－xN层(3)相比更远离GaN衬底(1)设置的p型AlxGa1－xN层(5)；以及位于n型AlxGa1－xN层(3)和p型AlxGa1－xN层(5)之间的多量子阱(MQW)(4)。在该发光器件中，p型AlxGa1－xN层(5)侧被向下安装，以及光从第二主表面(1a)发射，其中第二主表面是与第一主表面相对的GaN衬底(1)的主表面。在GaN衬底(1)的第二主表面(1a)上形成半球形凸部(82)。
基本信息
专利标题 ：
发光器件及其制造方法,以及氮化物半导体衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1866557A
申请号 ：
CN200610009237.1
公开（公告）日 ：
2006-11-22
申请日 ：
2006-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
永井阳一片山浩二北林弘之
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陆锦华
优先权 ：
CN200610009237.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2006-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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