氮化物半导体发光器件及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种氮化物半导体发光器件，其包括衬底、在其中并入第一导电半导体层、发光层和第二导电半导体层的氮化物半导体层、邻接所述第二导电半导体层的第一表面的至少一部分的透明电极，以及邻接所述第一导电半导体层的第二电极，其中所述衬底具有其第一表面，所述第一表面具有通过去除在所述器件的周边部分中的所述氮化物半导体层的第一部分而暴露的第一区域和通过去除除了所述器件的所述周边部分之外的邻接所述透明电极的所述氮化物半导体层的至少第二部分直到衬底而暴露的第二区域。一种用于制造所述器件的方法，其包括去除在所述器件的周边部分中的所述氮化物半导体层的第一部分直到所述衬底被暴露以形成其第一暴露的区域，以及去除除了所述器件的所述周边部分之外的邻接所述透明电极的所述氮化物半导体层的至少第二部分直到到达所述衬底

基本信息

专利标题：

氮化物半导体发光器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101138105A

申请号：

CN200680007596.1

公开（公告）日：

2008-03-05

申请日：

2006-02-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

浦岛泰人

申请人：

昭和电工株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光

优先权：

CN200680007596.1

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00

法律状态

2013-02-27 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101523802627
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006800075961
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 昭和电工株式会社
变更后权利人 : 丰田合成株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本爱知县
登记生效日 : 20130125

2009-12-23 ：

授权

2008-04-30 ：

实质审查的生效

2008-03-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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