半导体发光器件及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

PDF下载

摘要

本发明提供一种半导体发光器件以及制造该半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括衬底、位于所述衬底上且通过堆叠半导体材料层形成的至少两个发光单元、顺序堆叠在该发光单元之间的反射层和透明绝缘层、以及覆盖该发光单元的上表面的透明电极。

基本信息

专利标题：

半导体发光器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1812117A

申请号：

CN200510131007.8

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李庭旭

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒

优先权：

CN200510131007.8

主分类号：

H01L27/15

IPC分类号：

H01L27/15 H01L21/82 H01L33/00

法律状态

2013-01-02 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101492211097
IPC(主分类) : H01L 27/15
专利号 : ZL2005101310078
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星LED株式会社
变更后权利人 : 三星电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道水原市
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20121205

2011-09-21 ：

授权

2010-11-03 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101037394124
IPC(主分类) : H01L 27/15
专利申请号 : 2005101310078
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星电机株式会社
变更后权利人 : 三星LED株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道水原市
登记生效日 : 20100919

2008-01-23 ：

实质审查的生效

2006-08-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载