氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明披露了一种氮化物半导体发光器件，包括：一个或多个AlInN层；形成在该AlInN层上方的In掺杂的氮化物半导体层；形成在该In掺杂的氮化物半导体层上方的第一电极接触层；形成在该第一电极接触层上方的有源层；以及形成在该有源层上方的p型氮化物半导体层。根据所述氮化物半导体发光器件，有源层的晶体缺陷被抑制，使得氮化物半导体发光器件的可靠性增加，并使得光输出增大。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体发光器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044633A
申请号 ：
CN200580035544.0
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙孝根李昔宪
申请人 ：
LG伊诺特有限公司
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾晋伟
优先权 ：
CN200580035544.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2021-09-03 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 33/00
登记生效日 : 20210823
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : LG伊诺特有限公司
变更后权利人 : 苏州乐琻半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔
变更后权利人 : 江苏省苏州太仓市常胜北路168号
登记生效日 : 20210823
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : LG伊诺特有限公司
变更后权利人 : 苏州乐琻半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔
变更后权利人 : 江苏省苏州太仓市常胜北路168号
2010-01-20 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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