氮化物半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种制造氮化物半导体器件的方法，其包括通过划片在第一衬底(10)的表面上形成沟槽(15)并在形成沟槽(15)的表面上形成氮化物半导体层(20)。此外，该方法还包括将氮化物半导体层(20)与第二衬底(17)结合在一起的步骤和把氮化物半导体层(20)与第一衬底(10)彼此分开的步骤。采用此制造方法，能以高产率获得氮化物半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835189A
申请号 ：
CN200610067612.8
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
笔田麻佑子驹田聪
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610067612.8
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2015-05-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101608729118
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2006100676128
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20140317
号牌文件序号 : 101608729118
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2006100676128
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20140317
2008-11-12 ：
授权
2007-01-24 ：
发明专利申请公布说明书更正
更正卷 : 22
号 : 38
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2006.01.13 JP 006437/06
号 : 38
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2006.01.13 JP 006437/06
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100433261C.PDF
PDF下载
2、
CN1835189A.PDF
PDF下载
