氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置
授权
摘要
氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置。氮化物半导体发光元件(1)包括第一导电型的第一氮化物半导体层(12)；氮化物半导体层叠体，形成于所述第一氮化物半导体层上的一部分且包含氮化物半导体发光层及第二导电型的第二氮化物半导体层；第一电极，形成在第一氮化物半导体层；第二电极，形成在氮化物半导体层叠体的第二氮化物半导体层。第一电极(15a～15e)和第二电极(16a～16d)沿第一方向延伸。第一电极和第二电极沿俯视时与第一方向垂直的第二方向隔着间隔并列配置。被第二电极夹着的第一电极(15b～15d)的第二方向的尺寸(W2)大于未被第二电极夹着的第一电极(15a、15e)的第二方向的尺寸(W1)。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110391320A
申请号 ：
CN201910198413.8
公开（公告）日 ：
2019-10-29
申请日 ：
2019-03-15
授权号 ：
CN110391320B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
佐藤恒辅
申请人 ：
旭化成株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201910198413.8
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L33/38 H01L33/64
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-11-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/32
申请日 : 20190315
申请日 : 20190315
2019-10-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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