氮化物半导体发光元件

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供一种氮化物半导体发光元件。该发光元件包括：具有六方晶系结晶的氮化物基III-V族化合物半导体层；形成在该氮化物基III-V族化合物半导体层中的光谐振器；和形成在该光谐振器端面的端面涂膜，其中，粘合层形成在该光谐振器的该端面和该端面涂膜之间，至少部分的该端面涂膜或粘合层包含AlNxOy，其中x＜1，y＜1，x+y＝1。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。

基本信息

专利标题：

氮化物半导体发光元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN102170090A

申请号：

CN201110082164.X

公开（公告）日：

2011-08-31

申请日：

2005-12-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

近藤雅文神川刚川口佳伸

申请人：

夏普株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

邱军

优先权：

CN201110082164.X

主分类号：

H01S5/028

IPC分类号：

H01S5/028