氮化物半导体发光元件
实质审查的生效
摘要
提供一种氮化物半导体发光元件，其能够提高发光输出，并且能够抑制发光输出的经时性下降。一种输出紫外光的发光元件(1)，具备：活性层(40)，其包含产生紫外光的量子阱结构；含位错抑制结构层(52)，其形成在活性层(40)上，包含使来自活性层(40)的位错(D)停止或弯曲的位错抑制结构(520)；以及p型接触层(54)，其形成在含位错抑制结构层(52)上，具有10nm以上30nm以下的厚度。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388665A
申请号 ：
CN202111196489.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松仓勇介希利尔·贝诺
申请人 ：
日机装株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市隆安律师事务所
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN202111196489.0
主分类号 ：
H01L33/02
IPC分类号 ：
H01L33/02 H01L33/06 H01L33/32
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/02
申请日 : 20211014
申请日 : 20211014
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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