氮化物半导体发光器件及其制备方法
专利权的终止
摘要
提供了一种氮化物半导体发光器件，包括：衬底；在衬底上形成的第一缓冲层；在第一缓冲层上形成的含铟第二缓冲层；在第二缓冲层上形成的含铟第三缓冲层；在第三缓冲层上形成的第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上形成的有源层；和在有源层上形成的第二氮化物半导体层。根据本发明，晶体缺陷得到进一步抑制，使得有源层的结晶度得到提高，并且光功率和可靠性也得到提高。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体发光器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101073161A
申请号 ：
CN200580041803.0
公开（公告）日 ：
2007-11-14
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李昔宪
申请人 ：
LG伊诺特有限公司
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡胜有
优先权 ：
CN200580041803.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2020-11-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20191205
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20191205
2009-04-15 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-11-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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