一种半导体发光器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体发光器件的制备方法，涉及半导体领域，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行常规清洗处理后在其上面沉积多孔SiO2薄膜；将表面沉积有多孔SiO2薄膜的蓝宝石衬底置入ICP反应腔进行干法刻蚀，在蓝宝石衬底的表面形成多个V形孔；在蓝宝石衬底表面形成有V形孔的一侧沉积多孔立方氮化硼过渡层；生长氮化镓外延层，获得完全结构的外延片。上述制备方法能够提高GaN材料的晶体质量，降低位错密度，有效提高LED器件的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体发光器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551662A
申请号 ：
CN202210186861.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐平许孔祥
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 ：
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张勇
优先权 ：
CN202210186861.8
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/22
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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