氮化物半导体结构体、氮化物半导体器件以及用于制作该器件的...
实质审查的生效
摘要
本发明实现了一种包括在单晶第III族氮化物半导体部上的单晶第II‑IV族氮化物半导体部的构造。氮化物半导体结构体(1)包括第III族氮化物半导体部(3)和第II‑IV族氮化物半导体部(4)。第III族氮化物半导体部(3)是单晶。第III族氮化物半导体部(3)具有预定晶面。第II‑IV族氮化物半导体部(4)设置在第III族氮化物半导体部(3)的预定晶面上。第II‑IV族氮化物半导体部(4)是单晶。第II‑IV族氮化物半导体部(4)含有第II族元素和第IV族元素。第II‑IV族氮化物半导体部(4)与第III族氮化物半导体部(3)形成异质结。预定晶面是除(0001)面以外的晶面。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体结构体、氮化物半导体器件以及用于制作该器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114514616A
申请号 ：
CN202080070160.7
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
泷泽俊幸
申请人 ：
松下知识产权经营株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李新红
优先权 ：
CN202080070160.7
主分类号 ：
H01L29/267
IPC分类号 ：
H01L29/267 H01L29/04 H01L29/78 H01L29/778 H01S5/30 C30B29/38 H01L21/02
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/267
申请日 : 20201008
申请日 : 20201008
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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