用于制作半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
一种用于在半导体器件的制作中处理栅叠层的方法包括：提供包含栅叠层的衬底，所述栅叠层具有形成在衬底上的介电层和形成在介电层上的含金属栅电极层；在等离子体中利用处理气体形成低能激发掺杂剂物质；以及将栅叠层暴露于激发掺杂剂物质以将掺杂剂结合到栅叠层中。该方法可以用于调节栅叠层的功函数。
基本信息
专利标题 ：
用于制作半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128922A
申请号 ：
CN200580047475.5
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
考利·瓦吉达格特·莱乌辛克
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李剑
优先权 ：
CN200580047475.5
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2015-01-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101595904984
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005800474755
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20100609
终止日期 : 20131130
号牌文件序号 : 101595904984
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005800474755
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20100609
终止日期 : 20131130
2010-06-09 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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