氮化镓外延层及半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开一种氮化镓外延层及半导体器件，涉及半导体技术领域。本实用新型的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、纳米缓冲层、第二缓冲层、势垒层、介质层、源极、漏极和栅极。本实用新型解决了半导体器件中衬底与势垒层之间晶格失配度较大的问题。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓外延层及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921620855.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-25
授权号 ：
CN210897292U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
林信南刘美华刘岩军
申请人 ：
深圳市晶相技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王华英
优先权 ：
CN201921620855.9
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L21/328
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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