垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
专利权的终止
摘要
提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n－型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n－型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×1018cm－3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。
基本信息
专利标题 ：
垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1969388A
申请号 ：
CN200680000348.4
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2006-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桥本信木山诚田边达也三浦广平樱田隆
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200680000348.4
主分类号 ：
H01L29/12
IPC分类号 ：
H01L29/12 H01L29/47 H01L21/205 H01L29/78 H01L21/336 H01L29/872
相关图片
法律状态
2019-03-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/12
申请日 : 20060301
授权公告日 : 20091028
终止日期 : 20180301
申请日 : 20060301
授权公告日 : 20091028
终止日期 : 20180301
2009-10-28 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100555657C.PDF
PDF下载
2、
CN1969388A.PDF
PDF下载
