具改质衬底的半导体外延器件
授权
摘要
一种具改质衬底的半导体外延器件，包含衬底、氧化层、碳化层及氮化镓外延层，其中，氧化层为设置在衬底上、碳化层设置在氧化层上、氮化镓外延层设置在碳化层上，据此具改质衬底的半导体外延器件透过对成本低廉的衬底改质，碳化层可提升氮化镓外延层的晶格匹配性，明显改善外延晶格表面的缺陷，以成长外延晶格质量高且具有平整表面的氮化镓外延层。
基本信息
专利标题 ：
具改质衬底的半导体外延器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922062893.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN211062722U
授权日 ：
2020-07-21
发明人 ：
钟瑞伦吴俊鹏
申请人 ：
吴俊鹏;陈纪宇
申请人地址 ：
中国台湾新竹市北区延平路一段261巷8弄18号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
董科
优先权 ：
CN201922062893.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/161
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法律状态
2020-07-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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