衬底结构及半导体器件

授权

摘要

一种衬底结构及半导体器件，涉及半导体技术领域。该衬底结构应用于半导体器件，其包括衬底，衬底的上表面形成有第一注入掺杂区，第一注入掺杂区的注入深度小于衬底的厚度，第一注入掺杂区在衬底上的正投影面积小于衬底的面积，且第一注入掺杂区位于半导体器件的有源区。该衬底结构能够降低电流崩塌效应，且能够保证衬底的高绝缘性。

基本信息

专利标题：

衬底结构及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113571572A

申请号：

CN202111110198.5

公开（公告）日：

2021-10-29

申请日：

2021-09-23

授权号：

CN113571572B

授权日：

2022-05-31

发明人：

杨天应

申请人：

深圳市时代速信科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻前海商务秘书有限公司）

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

崔熠

优先权：

CN202111110198.5

主分类号：

H01L29/10

IPC分类号：

H01L29/10 H01L29/778