一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法

授权

摘要

本申请提供了一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法，半导体衬底从上至下依次包括：薄膜层、绝缘层、缺陷层以及衬底层；缺陷层包括至少一层多晶硅层以及至少一层非晶硅层；多晶硅层以及非晶硅层交替层叠设置。本申请实施例提供的半导体衬底，在多晶硅层中插入非晶硅层，由于非晶硅层中不含有晶粒，因此，有效解决了多晶硅材料引发的应力过大、抛光纹等现象。

基本信息

专利标题：

一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112951709A

申请号：

CN202110113127.4

公开（公告）日：

2021-06-11

申请日：

2021-01-27

授权号：

CN112951709B

授权日：

2022-05-27

发明人：

杨超李真宇孔霞李洋洋

申请人：

济南晶正电子科技有限公司

申请人地址：

山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

优先权：

CN202110113127.4

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02