半导体衬底的处理装置
授权
摘要
本申请公开了一种半导体衬底的处理装置，该处理装置包括：壳体，壳体上表面具有开口；位于壳体内的吸附件，用于吸附待处理的半导体衬底；位于壳体内的第一支撑架，第一支撑架具有一容纳空间内，吸附件位于该容纳空间内；清洗件，清洗件中具有第一清洗液，第一清洗液通过壳体的开口对半导体衬底背面的预设区域进行清洗；其中，半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，第一清洗液为具有腐蚀性的药液。该处理装置可以针对半导体衬底背面的腐蚀区域进行局部清洗，有效去除半导体衬底背面被腐蚀的部分，且不影响半导体衬底的未被腐蚀部分，缓解半导体衬底背面的颜色不一致现象。
基本信息
专利标题 ：
半导体衬底的处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921118001.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-16
授权号 ：
CN209947809U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
廖彬周铁军王金灵刘留
申请人 ：
广东先导先进材料股份有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张静
优先权 ：
CN201921118001.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
