半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装...
公开
摘要
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置。提供能够使衬底上形成的膜的阶差被覆性、衬底面内膜厚均匀性提高的技术。具有通过将包括下述(a)和(b)的循环进行规定次数从而在上述衬底上形成膜的工序，(a)从原料气体供给管线向收容有衬底(其表面设置有凹部)的处理室内供给原料气体工序，(b)向收容有衬底的处理室内供给反应气体的工序，在(a)中，分多次向衬底供给原料气体，在最初供给原料气体时，将原料气体预先填充于设置在原料气体供给管线上的贮留部内之后再向处理室内供给，在第2次以后的原料气体的供给前，将处理室内排气。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561630A
申请号 ：
CN202111415512.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
花岛建夫原田和宏
申请人 ：
株式会社国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
牛蔚然
优先权 ：
CN202111415512.0
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/455 C23C16/34 C23C16/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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