衬底处理装置,半导体器件的制造方法及记录介质
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摘要

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为当在多张衬底上形成膜时,提高形成在衬底上的膜的衬底间膜厚均匀性。衬底处理装置,其具有:处理室,对衬底进行形成包含主元素的膜的处理;第一喷嘴,对处理室内的衬底供给包含主元素的原料;和第二喷嘴,对处理室内的衬底供给反应物,其中,第一喷嘴具有第一顶板孔和多个第一侧孔,第一顶板孔设置于顶板部且朝向垂直方向开口;第一侧孔设置于侧部且朝向水平方向开口,第一顶板孔的开口面积大于所述第一侧孔的开口面积。

基本信息
专利标题 :
衬底处理装置,半导体器件的制造方法及记录介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108630574A
申请号 :
CN201810179758.4
公开(公告)日 :
2018-10-09
申请日 :
2018-03-05
授权号 :
CN108630574B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
高木康祐山腰莉早上野崇纪
申请人 :
株式会社日立国际电气
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
杨宏军
优先权 :
CN201810179758.4
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  C23C16/40  C23C16/455  H01L21/31  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-01 :
授权
2018-12-21 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/67
登记生效日 : 20181204
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
2018-11-02 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180305
2018-10-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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