半导体制造装置及半导体器件的制造方法
授权
摘要
当用二值化或与良品的图像差分法这样的方法来进行半导体芯片(裸芯片)的表面上的异常检测时，不能够发现宽度小于一个像素的裂纹。半导体制造装置具备拍摄裸芯片的拍摄装置、配置在将所述裸芯片和所述拍摄装置连结的线上的照明装置以及控制所述拍摄装置及所述照明装置的控制装置。所述控制装置用所述照明装置照明所述裸芯片的一部分，在所述裸芯片上形成明部、暗部及明部与暗部之间的渐变部，并用所述拍摄装置拍摄所述裸芯片。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造装置及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108962784A
申请号 ：
CN201810472295.0
公开（公告）日 ：
2018-12-07
申请日 ：
2018-05-17
授权号 ：
CN108962784B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
小桥英晴
申请人 ：
捷进科技有限公司
申请人地址 ：
日本山梨县
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
陈伟
优先权 ：
CN201810472295.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-01-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180517
申请日 : 20180517
2018-12-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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