基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种技术，具备：控制部，其以执行工艺制程来处理基板的方式进行控制；以及控压控制器，其调节设于对基板进行处理的处理室的排气管线的压力调节阀的开度，控制处理室的压力，控压控制器在控制所述处理室的压力时，对压力调节阀的开度进行调节，向控制部输出开度信息，控制部构成为在一边从控压控制器接收开度信息、一边监视所述压力调节阀的开闭的监视过程中，在为事先设定的设定值时，基于所述开度信息和事先设定的阈值，判断有无压力调节阀的开闭。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270490A
申请号 ：
CN202080059046.4
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中谷一夫安藤文恵西浦进越湖裕
申请人 ：
株式会社国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
陈伟
优先权 ：
CN202080059046.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C23C14/54 C23C16/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200917
申请日 : 20200917
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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