半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法，其中，半导体基板从下至上包括：叠置的衬底层、绝缘层和半导体层；所述绝缘层和所述半导体层在所述衬底层表面方向上的投影位于所述衬底层的边界内；静电环，环绕于所述绝缘层和所述半导体层的外周，且所述静电环的内侧壁与所述半导体层的外侧壁相接，所述静电环的底部延伸至所述衬底层；所述半导体基板包括器件区和非器件区，所述静电环设置于所述非器件区。本发明通过在半导体基板的绝缘层和半导体层的外周形成连接衬底层和半导体层的静电环，在后续刻蚀工艺中在半导体层中产生的静电荷可以通过静电环进入衬底层，防止尖端放电。
基本信息
专利标题 ：
半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446936A
申请号 ：
CN202011191913.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄河汪新学徐海瑛王敬平
申请人 ：
中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309
代理机构 ：
北京思创大成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张立君
优先权 ：
CN202011191913.8
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L27/12 H01L21/84
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/60
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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