半导体基板的制造方法及半导体基板
公开
摘要
本发明涉及一种半导体基板的制造方法，通过在单晶硅基板的表面依次形成绝缘膜及半导体单晶层，而制造在所述绝缘膜上具有所述半导体单晶层的半导体基板，至少包含以下工序：在含氮气气氛下对单晶硅基板进行热处理，在所述单晶硅基板的表面形成与所述单晶硅基板保持外延关系的氮化硅膜作为绝缘膜；以及在所述氮化硅膜上外延生长所述半导体单晶层。由此，提供一种半导体基板的制造方法及半导体基板，即使在将设置于单晶硅基板与半导体单晶层之间的绝缘膜设置为氮化硅膜的情况下，也能够以简便的方法高生产率且低成本地获得半导体基板。
基本信息
专利标题 ：
半导体基板的制造方法及半导体基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586132A
申请号 ：
CN202080073540.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
二井谷美保若林大士山田健人吉田和彦
申请人 ：
信越半导体株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晶
优先权 ：
CN202080073540.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/31 H01L27/12 C30B25/18 C30B29/06 C30B29/08 C30B29/10 C30B29/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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