半导体元件用外延基板、半导体元件和半导体元件用外延基板的...
授权
摘要
本发明提供一种抑制了电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与上述自立基板邻接的缓冲层、与上述缓冲层邻接的沟道层、和夹着上述沟道层而设置在与上述缓冲层相反一侧的势垒层，上述缓冲层为抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件用外延基板、半导体元件和半导体元件用外延基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108140561A
申请号 ：
CN201680059991.8
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2016-10-05
授权号 ：
CN108140561B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
市村干也前原宗太仓冈义孝
申请人 ：
日本碍子株式会社
申请人地址 ：
日本国爱知县
代理机构 ：
北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王轶
优先权 ：
CN201680059991.8
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/34 H01L21/338 H01L29/778 H01L29/812
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20161005
申请日 : 20161005
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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