碳化硅外延基板及制造碳化硅半导体装置的方法
授权
摘要
一种碳化硅外延基板，所述碳化硅外延基板包含碳化硅单晶基板和碳化硅层。所述碳化硅单晶基板具有第一主表面。所述碳化硅层在所述第一主表面上。所述碳化硅层包含在其与所述碳化硅单晶基板接触的表面的相反侧的第二主表面。所述第二主表面具有100mm以上的最大直径。所述第二主表面包括从所述第二主表面的外缘起算3mm以内的外周区域和由所述外周区域包围的中心区域。所述中心区域具有75ppm以下的雾度。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅外延基板及制造碳化硅半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108028185A
申请号 ：
CN201680052727.1
公开（公告）日 ：
2018-05-11
申请日 ：
2016-08-04
授权号 ：
CN108028185B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
和田圭司伊东洋典寺尾岳见神原健司西口太郎
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府大阪市
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王海川
优先权 ：
CN201680052727.1
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/42 C30B25/20 C30B29/36 H01L21/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2018-06-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20160804
申请日 : 20160804
2018-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
