碳化硅半导体装置及其制造方法
公开
摘要
具备电场缓和层(3)，该电场缓和层(3)包括第2导电型的第1区域(3a)和第2导电型的第2区域(3b)，上述第1区域(3a)形成在比沟槽(7)深的位置，上述第2区域(3b)以与沟槽的长度方向相同的方向作为长度方向并在多个沟槽之间分别与沟槽的侧面分离地配置，并且将第1区域和基底区域相连。此外，设为如下结构：通过离子注入构成第1区域和第2区域，并且构成由第1区域和第2区域重叠而得到的二重注入区域(3c)，在二重注入区域中具有第2杂质浓度的峰值。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600251A
申请号 ：
CN202080075352.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宫原真一朗辻村理俊山下侑佑
申请人 ：
株式会社电装
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕文卓
优先权 ：
CN202080075352.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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