半导体装置以及半导体装置制造方法
授权
摘要
本揭露提供一种半导体装置以及半导体装置制造方法。所述半导体装置包含：底部封装，其中在导体与贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积，且所述底部封装包含：模塑料；贯穿通路，其穿透所述模塑料；裸片，其模制在所述模塑料中；和导体，其在所述贯穿通路上。本揭露还揭示一种制造半导体装置的相关联方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及半导体装置制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107946277A
申请号 ：
CN201710664688.7
公开（公告）日 ：
2018-04-20
申请日 ：
2017-08-04
授权号 ：
CN107946277B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
林俊成施应庆王卜余振华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
路勇
优先权 ：
CN201710664688.7
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2019-11-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20170804
申请日 : 20170804
2018-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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